引言

在一个系统中，兼具SRAM特征和非易失性的存储器拥有诸多的优势。有多种存储器技术可提供这样的解决方案。其中包括赛普拉斯公司的NVSRAM，Maxim、TI和STMicro公司的BBSRAM，Ramtron公司的FRAM以及Freescale Semiconductors公司的MRAM。在研究赛普拉斯NVSRAM的技术和应用细节之前，我们先对几种不同的竞争技术做一番简要的比较。

通过把SRAM的存储内容转移至与每个SRAM相集成的对应非易失性存储单元中，赛普拉斯NVSRAM提供了非易失性（需要消耗功率）。而BBSRAM（电池后备SRAM）则通过在断电时切换至锂电池电源的方法而将数据保存在SRAM中。FRAM（铁电RAM）通过向铁电晶体施加方向正确的电场来保存数据。MRAM（磁阻RAM）采用磁性极化来永久性地存储数据……

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来源：电子工程专辑